「ダイヤモンド直接接合による高耐熱性界面の研究開発」
　半導体素子を動作させると素子内部に電流が流れることにより熱が発生します。優れた性能を実現するためには、発生する熱を効果的に外部に逃がす仕組みが必要です。ダイヤモンドは地球上に存在する物質の中で最も熱を逃がす性質（熱伝導率）が優れているので、内外の多くの研究機関がダイヤモンドの持つ優れた性質に着目し、放熱基板としての可能性を探索してきました。

　ダイヤモンドを放熱基板として使用するために素子とダイヤモンドをハンダや接着剤で接着すると、間に挟まれたハンダや接着剤が熱の流れを妨げます。その結果、折角のダイヤモンドの優れた性質を活かすことができません。この点に着目した工学研究科・電子情報系専攻　重川直輝教授の研究グループはダイヤモンドと半導体や金属との直接接合技術（間に何も挟まないで接着する技術）の研究を進めてきました。

　すでに、電子顕微鏡観察により接合部分が高温に対して優れた耐性を持つこと（図１）、接合後の試料上にトランジスタを作製しても接合が破損しないこと、を世界に先駆けて実証しています。 今後、本プログラムの委託を得てダイヤモンド直接接合の実用化に向けて研究を加速します（図２）。　 　なお本提案は、重川教授を研究代表者とする三菱電機株式会社、アダマンド並木精密宝石株式会社、国立大学法人佐賀大学との共同提案です。